SOITEC : Toujours à la pointe de l'innovation en matière de substrat RF-SOI
Soitec dévoile aujourd'hui son substrat eSI90, le produit haut de gamme de sa famille de substrats RF-SOI en silicium sur isolant destinés aux applications de radiofréquence. L`eSI90 est conçu pour améliorer la performance de radiofréquence (RF) des composants de communication mobile, tels que les commutateurs et adaptateurs d`antenne à haute linéarité, intégrés dans les smartphones haut de gamme pour les réseaux LTE-Advanced (LTE-A) qui utilisent l`agrégation de porteuses. Cette technique permet d`utiliser simultanément plusieurs bandes de fréquences afin d`obtenir des débits plus élevés pour une meilleure expérience de l`utilisateur.
Les plaques eSI90 représentent la deuxième génération des substrats eSI de Soitec. Elles sont basées sur des substrats à haute résistivité (HR) pour les applications RF. Aujourd`hui, les substrats eSI de Soitec ont été largement adoptés par les leaders des semi-conducteurs RF pour répondre aux exigences de performance et de coût des circuits, réclamées par les marchés de l`Internet mobile 3G et 4G/LTE. Le produit eSI90 de Soitec présente une résistivité effective supérieure à celle de la première génération d`eSI, améliorant la linéarité de 10 decibel (dB) dans les modules RF haut de gamme. Elle permet de répondre aux nouvelles exigences des smartphones LTE-A.
"Avec l`introduction de l`eSI90, Soitec reste à la pointe de l`innovation en matière de substrat RF-SOI pour le secteur mobile et permet d`avoir des dispositifs RF haute performance pour les smartphones LTE-A et ceux de prochaine génération", indique Dr Bernard Aspar, Vice-Président et Directeur général de la Business Unit Communication & Power de Soitec. "Nous estimons qu`actuellement, plus d`un milliard de circuits RF sont produits chaque trimestre à partir de nos plaques eSI. Nous sommes heureux de permettre à nos clients, les entreprises leaders de circuit intégré RF, de répondre à l`explosion de la demande du marché du ...