Publicité
La bourse est fermée
  • CAC 40

    7 724,32
    +97,19 (+1,27 %)
     
  • Euro Stoxx 50

    5 043,02
    +66,89 (+1,34 %)
     
  • Dow Jones

    40 000,90
    +247,15 (+0,62 %)
     
  • EUR/USD

    1,0910
    +0,0040 (+0,37 %)
     
  • Gold future

    2 416,00
    -5,90 (-0,24 %)
     
  • Bitcoin EUR

    52 977,20
    +873,01 (+1,68 %)
     
  • CMC Crypto 200

    1 211,00
    +12,43 (+1,04 %)
     
  • Pétrole WTI

    82,18
    -0,44 (-0,53 %)
     
  • DAX

    18 748,18
    +213,62 (+1,15 %)
     
  • FTSE 100

    8 252,91
    +29,57 (+0,36 %)
     
  • Nasdaq

    18 398,45
    +115,04 (+0,63 %)
     
  • S&P 500

    5 615,35
    +30,81 (+0,55 %)
     
  • Nikkei 225

    41 190,68
    -1 033,34 (-2,45 %)
     
  • HANG SENG

    18 293,38
    +461,05 (+2,59 %)
     
  • GBP/USD

    1,2990
    +0,0075 (+0,58 %)
     

Gallium Semiconductor étoffe son portefeuille avec le premier amplificateur ISM CW

Le GTH2e-2425300P assure une efficacité large bande (>72 %) et des performances RF de premier ordre pour les applications ISM dans une cavité d’air standard et ne nécessite qu’un réglage minimal

BERLIN, September 18, 2023--(BUSINESS WIRE)--Gallium Semiconductor, célèbre fournisseur de solutions de semi-conducteurs RF GaN, a annoncé aujourd’hui la disponibilité de l’amplificateur ISM CW GTH2e-2425300P, un transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT) discret GaN-sur-SiC de 2,4-2,5 GHz et de 300 W préapparenté. Le GTH2e-2425300P ouvre la voie à un nouveau niveau d’efficacité pour une large gamme d’applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM), dont les sources de plasma pour semi-conducteurs et les équipements de dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes (MPCVD) pour la production de diamants synthétiques.

Ce communiqué de presse contient des éléments multimédias. Voir le communiqué complet ici : https://www.businesswire.com/news/home/20230915988649/fr/

Gallium Semi's ISM CW Amplifier GTH2e-2425300P (Photo: Business Wire)

PUBLICITÉ

Roger Williams, président-directeur général de 3D RF Energy Corp, a déclaré : « Le GTH2e-2425300P marque une nouvelle étape en matière de performance et de facilité d’utilisation dans la conception d’alimentations à semi-conducteurs ISM à 2,45 GHz. Son adaptation interne facilite la conception des circuits imprimés, qu’il s’agisse d’une conception à bande étroite de 400 W avec un rendement de 76 % ou d’une conception de 300 W avec un rendement de 72 à 74 % sur l’ensemble de la bande. Il se comporte bien en classe AB et en classe C, et son gain de 17 dB à la puissance saturée simplifie les exigences en matière de circuits d’attaque ».

Opérant dans la gamme de fréquences de 2,4 à 2,5 GHz et alimenté par un rail d’alimentation de 50 V, le GTH2e-2425300P offre un rendement qui redéfinit les références en matière de capacités de puissance RF. Avec un rendement de pointe de 76 % (pulsé, 100 µs, rapport cyclique de 10 %), ce HEMT incarne l’engagement de Gallium Semiconductor dans l’amélioration des performances RF. Les données mesurées révèlent quant à elles une efficacité de drain de plus de 72 % en fonctionnement continu. Un panneau de démonstration à accord fixe peut être commandé par les clients qualifiés.

Angelo Andres, directeur du marketing produit pour les marchés multiples chez Gallium Semiconductor, a déclaré : « Le GTH2e-2425300P symbolise une évolution dans le domaine de l’amplification de puissance RF et souligne notre volonté d’optimiser les performances pour les applications ISM. Les ingénieurs sont à la recherche d’un partenaire solide pour la chaîne d’approvisionnement afin d’assurer la disponibilité et le support des produits à long terme, et c’est exactement ce que Gallium Semiconductor offre avec le GTH2e-2425300P. Nous poursuivrons le renforcement de notre portefeuille pour le marché ISM afin d’aider davantage nos clients ».

Logé dans un boîtier plastique à cavité aérienne ACP-800 4L, le GTH2e-2425300P affiche une excellente fiabilité et d’excellentes performances thermiques (0,67 °C/W) grâce à sa bride Super-CMC (composite à matrice céramique). Il simplifie par ailleurs l’intégration dans divers systèmes, améliorant ainsi le processus de développement pour les ingénieurs RF. Le GTH2e-2425300P est maintenant disponible à la commande. Pour les personnes désireuses d’obtenir les spécifications, les détails des prix et les informations sur les commandes, veuillez contacter : sales@galliumsemi.com

Gallium Semiconductor au salon EuMW

Du 19 au 21 septembre, Gallium Semiconductor participera à la European Microwave Week (Semaine européenne des micro-ondes) à Berlin, stand 469C. Outre le GTH2e-2425300P, Gallium Semiconductor y présentera trois nouveaux produits radar de 250 W en bandes L et S, ainsi qu’un nouvel amplificateur large bande polyvalent de DC à 12 GHz. Rejoignez-nous pour en savoir plus sur les solutions RF GaN de Gallium Semiconductor.

À propos de Gallium Semiconductor :

Gallium Semiconductor est un fournisseur de premier plan de solutions RF GaN avancées, spécialisé dans les dispositifs à haute performance et à haut rendement. En mettant l’accent sur la technologie GaN-sur-SiC, Gallium Semiconductor se consacre à la fourniture de solutions innovantes pour diverses applications, notamment les communications sans fil, les systèmes radar, l’ISM et les communications par satellite.

Pour plus d’informations : www.galliumsemi.com

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Consultez la version source sur businesswire.com : https://www.businesswire.com/news/home/20230915988649/fr/

Contacts

Média :
Paul Chia
Vice-président des ventes et du marketing
Gallium Semiconductor Pte Ltd
marketing@galliumsemi.com
+65-6530-3421